采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"04+"：27500，"MI+"：7500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4700NR2
工作温度：-55℃~150℃
功率：860mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@24V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：7.2mΩ@13A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：45000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4937NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：810mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2563pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：6.5mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK70ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6404
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：220}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA9N90-F109
工作温度：-55℃~150℃
功率：240W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2700pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.3Ω@4.3A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK70ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP10NK70ZFP
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.5A，10V
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFGQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO6404
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：17.9nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1810pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@8.5A，10V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3008SFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：47nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@15V
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：17mΩ@10A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN4800LSSQ-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.46W
阈值电压：1.6V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：8.7nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：798pF@10V
连续漏极电流：8.6A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@9A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7461DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：190nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：8.6A
类型：P沟道
导通电阻：14.5mΩ@14.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
