采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFB9N60APBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9333TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：19.4mΩ@9.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6017LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9358TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：16.3mΩ@9.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@30V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6016LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7329TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3450pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@9.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF7329TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：900mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3450pF@10V
连续漏极电流：9.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：17mΩ@9.2A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9393TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：13.3mΩ@9.2A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：10471}
包装规格(MPQ)：100psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：袋
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS9N60ATRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：170W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：49nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4288DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@20V
连续漏极电流：9.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6016LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9358TRPbF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@25µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1740pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：16.3mΩ@9.2A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9393TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：13.3mΩ@9.2A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9393TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.4V@25µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1110pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：P沟道
导通电阻：13.3mΩ@9.2A，20V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：360pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：270mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STW11NK90Z
工作温度：-55℃~150℃
功率：200W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：115nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3000pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：980mΩ@4.6A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6016LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4288DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：580pF@20V
连续漏极电流：9.2A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：20mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6016LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9700，"9999"：206，"MI+"：1000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK4087LS-1E
工作温度：150℃
功率：2W€40W
ECCN：EAR99
栅极电荷：46nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1200pF@30V
连续漏极电流：9.2A
类型：N沟道
导通电阻：610mΩ@7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
