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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1394，"23+"：2798，"MI+"：2811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMD85100
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2230pF@50V
连续漏极电流：10.4A
类型：2个N通道（半桥）
导通电阻：9.9mΩ@10.4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6012LSS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.2W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：22.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1522pF@30V
连续漏极电流：10.4A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3026SFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：19.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1204pF@15V
连续漏极电流：10.4A
类型：P沟道
导通电阻：19mΩ@4.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
