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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：3.5W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.5V，750mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA456DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@100V
连续漏极电流：2.6A
类型：N沟道
导通电阻：1.38Ω@750mA，4.5V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU210PBF
功率：2.5W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
包装方式：管件
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
功率：3.5W
阈值电压：1.4V@250μA
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.38Ω@4.5V，750mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：710mW
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：57mΩ@4.5V，3.6A
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR210TRPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€25W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：8.2nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：140pF@25V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.5Ω@10V，1.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：225pF@15V
连续漏极电流：2.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：1.4V@250μA
功率：3.5W
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2.6A
导通电阻：1.38Ω@4.5V，750mA
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2304BDS-T1-E3
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
输入电容：225pF@15V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2.6A
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：4nC@5V
工作温度：-55℃~+150℃
功率：750mW
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
阈值电压：850mV@250μA
栅极电荷：5.5nC@4.5V
工作温度：-55℃~+150℃
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2.6A
漏源电压：20V
功率：710mW
导通电阻：57mΩ@4.5V，3.6A
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
规格型号(MPN)：IRFU210PBF
阈值电压：4V@250μA
包装方式：管件
类型：1个N沟道
功率：2.5W
连续漏极电流：2.6A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.5Ω@10V，1.6A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
栅极电荷：4nC@5V
导通电阻：70mΩ@10V，2.5A
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：225pF@15V
类型：1个N沟道
连续漏极电流：2.6A
功率：750mW
阈值电压：3V@250μA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
