品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24050}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24050}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":24050}
销售单位:个
规格型号(MPN):BSO615NGXUMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2V@20µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:380pF@25V
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:150mΩ@2.6A,4.5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:4V@250µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存: