品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
输入电容:225pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4nC@5V
功率:750mW
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):Si2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1480DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W€2.8W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.9A,10V
输入电容:130pF@50V
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1480DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W€2.8W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.9A,10V
输入电容:130pF@50V
栅极电荷:5nC@10V
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-GE3
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
输入电容:105pF@30V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-E3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302DDS-T1-BE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
ECCN:EAR99
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
输入电容:105pF@30V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI1480DH-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
功率:1.5W€2.8W
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:200mΩ@1.9A,10V
输入电容:130pF@50V
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
阈值电压:3V@250µA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRLPBF
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFR210TRPBF-BE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
输入电容:140pF@25V
类型:N沟道
栅极电荷:8.2nC@10V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:1.5Ω@1.6A,10V
功率:2.5W€25W
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3
栅极电荷:4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
漏源电压:60V
导通电阻:144mΩ@1.9A,10V
输入电容:105pF@30V
功率:1.6W
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-GE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7956DP-T1-E3
功率:1.4W
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:4V@250µA
连续漏极电流:2.6A
导通电阻:105mΩ@4.1A,10V
类型:2N沟道(双)
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIA456DJ-T1-GE3
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
导通电阻:1.38Ω@750mA,4.5V
阈值电压:1.4V@250µA
栅极电荷:14.5nC@10V
输入电容:350pF@100V
漏源电压:200V
功率:3.5W€19W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2304BDS-T1-E3
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:70mΩ@2.5A,10V
漏源电压:30V
输入电容:225pF@15V
工作温度:-55℃~150℃
连续漏极电流:2.6A
类型:N沟道
栅极电荷:4nC@5V
功率:750mW
阈值电压:3V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI2302CDS-T1-BE3
栅极电荷:5.5nC@4.5V
导通电阻:57mΩ@3.6A,4.5V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:850mV@250µA
连续漏极电流:2.6A
漏源电压:20V
类型:N沟道
功率:710mW
包装清单:商品主体 * 1
库存: