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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2265，"22+"：1930，"23+"：25244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3372，"21+"：9230，"22+"：6044}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@33A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：2265，"22+"：1930，"23+"：25244}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
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功率：2.2W€41W
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2020pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
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规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
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功率：3.8W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：3372，"21+"：9230，"22+"：6044}
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRF7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€41W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：45nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.95mΩ@33A，10V
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AUIRF7732S2TR
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类型：N沟道
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：AUIRF7732S2TR
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阈值电压：4V@50µA
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输入电容：1700pF@25V
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类型：N沟道
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品牌：INFINEON
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行业应用：工业,汽车
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ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
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连续漏极电流：14A
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ECCN：EAR99
栅极电荷：33nC@4.5V
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行业应用：工业,汽车
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导通电阻：10mΩ@50A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
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规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
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ECCN：EAR99
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"21+"：2265，"22+"：1930，"23+"：25244}
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
输入电容：2020pF@25V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.2W€41W
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：33nC@4.5V
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行业应用：工业,汽车
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包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.5V@250µA
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.2W€41W
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
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规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.2W€41W
阈值电压：2.5V@50µA
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栅极电荷：33nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRL7732S2TR
输入电容：2020pF@25V
包装方式：卷带（TR）
功率：2.2W€41W
漏源电压：40V
类型：N沟道
栅极电荷：33nC@4.5V
工作温度：-55℃~175℃
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导通电阻：6.6mΩ@35A，10V
阈值电压：2.5V@50µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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