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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
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功率：3.8W
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输入电容：2103pF@25V
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类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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功率：1.4W
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
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功率：1.4W
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
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连续漏极电流：14A
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工作温度：150℃
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连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
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规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
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输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
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导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
功率：1.4W
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连续漏极电流：14A
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类型：2N沟道（双）共漏
ECCN：EAR99
漏源电压：24V
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行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
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功率：3.8W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：14A
导通电阻：10mΩ@50A，10V
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类型：2N沟道（双）共漏
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输入电容：2103pF@25V
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类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVDD5894NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2103pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：10mΩ@50A，10V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
漏源电压：24V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.4W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
类型：2N沟道（双）共漏
导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
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规格型号(MPN)：ECH8693R-TL-W
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包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：14A
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导通电阻：7mΩ@5A，4.5V
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