品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8693R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V
栅极电荷:26nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):3000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMS8680
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W
阈值电压:1V
栅极电荷:26nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:8.5mΩ
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":1186,"15+":3361,"16+":186672,"21+":12000}
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":10000}
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@14A,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@14A,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":2500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVDD5894NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2103pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:10mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS8690
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1680pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:7.6mΩ@14A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF27N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):5000psc
销售单位:个
规格型号(MPN):EFC2J004NUZTDG
工作温度:-55℃~+150℃
功率:1.5W
阈值电压:1.3V
ECCN:EAR99
栅极电荷:36nC
包装方式:Reel
连续漏极电流:14A
类型:MOSFET
导通电阻:7.1mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C13NWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€26W
阈值电压:2.1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:770pF@15V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:9.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8420-TL-H
工作温度:150℃
功率:1.6W
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2430pF@10V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@7A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF27N25
工作温度:-55℃~150℃
功率:55W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2450pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:110mΩ@7A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:管件
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@14A,5V
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":301421,"19+":20000,"MI+":5000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF190N65S3L1
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:4.5V@1.4mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@400V
连续漏极电流:14A
类型:N沟道
导通电阻:190mΩ@7A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ECH8693R-TL-W
工作温度:150℃
功率:1.4W
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:14A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:7mΩ@5A,4.5V
漏源电压:24V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD14N05LSM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:670pF@25V
连续漏极电流:14A
类型:1个N沟道
导通电阻:100mΩ@5V,14A
漏源电压:50V
包装清单:商品主体 * 1
库存: