品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXKH70N60C5
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:3.5V@3mA
栅极电荷:190nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6800pF@100V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:45mΩ@44A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFR140N30P
工作温度:-55℃~150℃
功率:300W
阈值电压:5V@8mA
栅极电荷:185nC@10V
包装方式:Tube
输入电容:14800pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@70A,10V
漏源电压:300V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MCB70N10YB-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2270pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.6mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH70N20Q3
工作温度:-55℃~150℃
功率:690W
阈值电压:6.5V@4mA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3150pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:40mΩ@35A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL033N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6720pF@400V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOI296A
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3130pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOI296A
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:2.3V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3130pF@50V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:8.3mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BSC0403NSATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:4.6V@91µA
栅极电荷:28nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@35A,10
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM120N06LCP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:125W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2118pF@30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN1004UFV-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:47nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2385pF@6V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:3.8mΩ@15A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTHL033N65S3HF
工作温度:-55℃~150℃
功率:500W
阈值电压:5V@2.5mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:188nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6720pF@400V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:33mΩ@35A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:IXYS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFB70N100X
工作温度:-55℃~150℃
功率:1785W
阈值电压:6V@8mA
栅极电荷:350nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9160pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:89mΩ@35A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存: