品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN5R3-25MLDX
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
栅极电荷:12.7nC@10V
功率:51W
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@15A,10V
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:858pF@12V
阈值电压:2.2V@1mA
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1215pF@20V
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M6R3-40EX
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1912pF@25V
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@20A,10V
功率:79W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28.1nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@1mA
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
功率:91W
栅极电荷:51nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUC70N08S5N074ATMA1
功率:83W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
导通电阻:7.4mΩ@35A,10V
类型:N沟道
漏源电压:80V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:3.8V@36µA
输入电容:2080pF@40V
栅极电荷:30nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
输入电容:2432pF@12.5V
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":5600,"17+":7200}
销售单位:个
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):FDB8444-F085
导通电阻:5.5mΩ@70A,10V
包装方式:卷带(TR)
功率:167W
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
栅极电荷:128nC@10V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
输入电容:8035pF@25V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S3L12ATMA1
阈值电压:2.4V@83µA
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
栅极电荷:77nC@10V
类型:N沟道
输入电容:5550pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
导通电阻:11.5mΩ@70A,10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
输入电容:2432pF@12.5V
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7214-75B,118
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:75V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
功率:158W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:14mΩ@25A,10V
阈值电压:4V@1mA
输入电容:2612pF@25V
栅极电荷:41nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
阈值电压:2.4V@83µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
输入电容:5550pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN3R9-25MLC,115
功率:69W
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:1524pF@12.5V
栅极电荷:21.5nC@10V
阈值电压:2.15V@1mA
导通电阻:4.15mΩ@25A,10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S312ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@70A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
输入电容:4355pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN8R3-40YS,115
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1215pF@20V
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:20nC@10V
导通电阻:8.6mΩ@15A,10V
阈值电压:4V@1mA
功率:74W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1730,"21+":1609,"22+":540,"23+":5064,"MI+":1299}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N12S311ATMA1
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
漏源电压:120V
输入电容:4355pF@25V
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M7R2-40EX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
导通电阻:5.8mΩ@20A,10V
类型:N沟道
功率:79W
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:19.7nC@5V
输入电容:2567pF@25V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":790,"23+":3995}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10SL16ATMA1
导通电阻:16mΩ@50A,10V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
功率:250W
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:4540pF@25V
阈值电压:2V@2mA
栅极电荷:240nC@10V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R0-25MLDX
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:34.4nC@10V
连续漏极电流:70A
导通电阻:2.27mΩ@25A,10V
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.2V@1mA
输入电容:2490pF@12V
功率:74W
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S3L12ATMA1
阈值电压:2.4V@83µA
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:80nC@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
输入电容:5550pF@25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
导通电阻:11.8mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N10S312ATMA1
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
栅极电荷:66nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:11.3mΩ@70A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
输入电容:4355pF@25V
ECCN:EAR99
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
导通电阻:6.2mΩ@70A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
阈值电压:4V@26µA
功率:58W
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:2550pF@25V
栅极电荷:32nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M6R6-30EX
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
阈值电压:2.1V@1mA
输入电容:2001pF@25V
ECCN:EAR99
导通电阻:5.3mΩ@20A,10V
功率:75W
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"21+":2599,"22+":1454,"23+":1866,"MI+":2919}
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:70A
输入电容:3300pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@30µA
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
栅极电荷:48nC@10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N10F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:3100pF@50V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@40A,10V
功率:85W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD85N10F7AG
阈值电压:4.5V@250µA
输入电容:3100pF@50V
包装方式:卷带(TR)
栅极电荷:45nC@10V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:10mΩ@40A,10V
功率:85W
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N03S4L04ATMA1
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
连续漏极电流:70A
输入电容:3300pF@25V
类型:N沟道
阈值电压:2.2V@30µA
功率:68W
工作温度:-55℃~175℃
导通电阻:4.3mΩ@70A,10V
栅极电荷:48nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-25MLC,115
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
漏源电压:25V
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
输入电容:2432pF@12.5V
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
阈值电压:2.15V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:37.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC70N04S54R6ATMA1
阈值电压:3.4V@17µA
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
功率:50W
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:24.2nC@10V
输入电容:1430pF@25V
导通电阻:4.6mΩ@35A,10V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD70N10S312ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:11.1mΩ@70A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R4-30MLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:91W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3264pF@15V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:2.4mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: