品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TPW1R005PL,L1Q
工作温度:175℃
功率:960mW€170W
阈值电压:2.4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:122nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9600pF@22.5V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:45V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT300N08S5N012ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16250pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUS300N08S5N011TATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16250pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT007N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.3V@280µA
栅极电荷:287nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@150A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPLU300N04S41R1XTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@125µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:151nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12090pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@100A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-30YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:291W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7668pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUS300N08S5N014TATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@230µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:187nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13178pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.4mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):4psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSM300C12P3E201
工作温度:-40℃~150℃
功率:1360W
阈值电压:5.6V@80mA
包装方式:散装
输入电容:15000pF@10V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-30YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:291W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7668pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUS300N10S5N015TATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:216nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16011pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3779,"23+":302058,"24+":40063,"MI+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT007N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.3V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:287nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@150A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT004N03LATMA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.8W€300W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:163nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:24000pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.4mΩ@150A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0200N100
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:133nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:9760pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@80A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL0065N40
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:296nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:15900pF@25V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.65mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ROHM
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):4psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BSM300D12P2E001
工作温度:-40℃~150℃
功率:1875W
阈值电压:4V@68mA
包装方式:托盘
输入电容:35000pF@10V
连续漏极电流:300A
类型:2个N通道(半桥)
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17000pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@150A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUS300N08S5N012TATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16250pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT007N06NATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.3V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:287nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16000pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.75mΩ@150A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT300N08S5N012ATMA2
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16250pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":785,"23+":26749}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUS300N08S5N012ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16250pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17000pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@150A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1317,"23+":31953}
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUS300N08S5N011TATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:231nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16250pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@100A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDBL86561-F085
工作温度:-55℃~175℃
功率:429W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13650pF@30V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.1mΩ@80A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN0R9-30YLDX
工作温度:-55℃~150℃
功率:291W
阈值电压:2.2V@1mA
栅极电荷:109nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7668pF@15V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.87mΩ@25A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT020N10N3ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@272µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:156nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11200pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:2mΩ@150A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:TI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):250psc
销售单位:个
规格型号(MPN):CSD18510Q5BT
工作温度:-55℃~150℃
功率:156W
阈值电压:2.3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:153nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11400pF@20V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:0.96mΩ@32A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IAUT300N10S5N015ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@275µA
栅极电荷:216nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:16011pF@50V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@100A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT012N08N5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.8V@280µA
栅极电荷:223nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:17000pF@40V
连续漏极电流:300A
类型:N沟道
导通电阻:1.2mΩ@150A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: