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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPC40PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPC40PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3024LSD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3024LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:608pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:24mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTLUS4C12NTAG 起订1191个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":9000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTLUS4C12NTAG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:630mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1172pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    谷峰 Mosfet场效应管 2312 起订69个装
    谷峰 Mosfet场效应管 2312 起订69个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2312

    功率:1.25W

    阈值电压:900mV@250μA

    连续漏极电流:6.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:21mΩ@4.5V,4.5A

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9520SPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9520SPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9520SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA530PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订14个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1 起订278个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1 起订278个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4100DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€6W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@50V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:63mΩ@4.4A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9520PBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9520PBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9520PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:390pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:600mΩ@4.1A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024U-7 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024U-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0CEATMA1 起订7个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0CEATMA1 起订7个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@130µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1384个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1384个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2500,"MI+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CE 起订6个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CE 起订6个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CE

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130μA

    连续漏极电流:6.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1Ω@10V,1.5A

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0CEATMA1 起订683个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN60R1K0CEATMA1 起订683个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":30000,"22+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN60R1K0CEATMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN2024UQ-7 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN2024UQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:900mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:6.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:647pF@10V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18KTC 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMP6A18KTC 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMP6A18KTC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.15W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1580pF@30V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:55mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD60R1K0CEAUMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD60R1K0CEAUMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:61W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4816NR2G 起订14个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4816NR2G 起订14个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2050

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4816NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R1K0CEXKSA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R1K0CEXKSA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R1K0CEXKSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    功率:26W

    阈值电压:3.5V@130µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:280pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@1.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":11000}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4040SSD-13 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMC4040SSD-13 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMC4040SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1790pF@20V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N和P沟道

    导通电阻:25mΩ@3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订13个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3028LFDE-13 起订13个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3028LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1241pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:32mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1 起订325个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPA60R520CPXKSA1 起订325个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":55000,"14+":500}

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPA60R520CPXKSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:30W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:630pF@100V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@3.8A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4816NR2G 起订542个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4816NR2G 起订542个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":989,"10+":5159,"11+":35000,"12+":25000,"13+":2490,"14+":1996,"15+":82606,"23+":10000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4816NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@25V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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