品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2028UFDH-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:151pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:2N沟道(双)共漏
导通电阻:20mΩ@4A,10V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024UQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:6.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2024U-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.1nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:647pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@6.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV16XNR
工作温度:-55℃~150℃
功率:510mW€6.94W
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:20.2nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1240pF@10V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@6.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存: