品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFPC40PBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:60nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:1.2Ω@4.1A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4100DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€6W
阈值电压:4.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:600pF@50V
连续漏极电流:6.8A
类型:N沟道
导通电阻:63mΩ@4.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: