采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3457EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA530PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3457EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3457EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3457EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520STRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3457EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"07+"：1382，"08+"：108}
包装规格(MPQ)：804psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA530PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1070pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA530PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMA530PZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1070pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：35mΩ@6.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF-BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZXMP6A18KTC
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.15W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@30V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：55mΩ@3.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9520SPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：390pF@25V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：600mΩ@4.1A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3457EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：705pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@6A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP3028LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：660mW
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1241pF@15V
连续漏极电流：6.8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
