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    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K4S 起订1个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K4S 起订1个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075023K4S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@40A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0040120K 起订1个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0040120K 起订1个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0040120K

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:326W

    阈值电压:3.6V@9.2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:99nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@1000V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN80N50P 起订10个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFN80N50P 起订10个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFN80N50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:700W

    阈值电压:5V@8mA

    栅极电荷:195nC@10V

    输入电容:12700pF@25V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@500mA,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK66N85X 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFK66N85X 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFK66N85X

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1250W

    阈值电压:5.5V@8mA

    栅极电荷:230nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:8900pF@25V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:65mΩ@500mA,10V

    漏源电压:850V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":20,"18+":20,"21+":1027,"22+":3204,"23+":11315,"24+":15000,"MI+":5915}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW72N60DM2AG 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW72N60DM2AG 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW72N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5508pF@100V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@33A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW72N60DM2AG 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STW72N60DM2AG 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW72N60DM2AG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5508pF@100V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@33A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC040SMA120B4 起订10个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC040SMA120B4 起订10个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC040SMA120B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:323W

    阈值电压:2.6V@2mA

    栅极电荷:137nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1990pF@1000V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@40A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC040SMA120B 起订25个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC040SMA120B 起订25个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC040SMA120B

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:323W

    阈值电压:2.7V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:137nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1990pF@1000V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@40A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YLDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YLDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:832pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K3S 起订10个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K3S 起订10个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075023K3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@40A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL045N065SC1 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL045N065SC1 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:291W

    阈值电压:4.3V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@325V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STW70N60DM2 起订10个装
    ST Mosfet场效应管 STW70N60DM2 起订10个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):600psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STW70N60DM2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:446W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:121nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5508pF@100V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@33A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9615-100E,118 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9615-100E,118 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":1600,"23+":1600}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9615-100E,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:182W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6813pF@25V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K4S 起订250个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K4S 起订250个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075023K4S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@40A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC007N08LC 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC007N08LC

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:57W

    阈值电压:2.5V@120µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@40V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:7mΩ@21A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL045N065SC1 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTHL045N065SC1 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTHL045N065SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:291W

    阈值电压:4.3V@8mA

    栅极电荷:105nC@18V

    包装方式:管件

    输入电容:1870pF@325V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@25A,18V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K4S 起订100个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K4S 起订100个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075023K4S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@40A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Microchip Mosfet场效应管 MSC040SMA120B4 起订3个装
    Microchip Mosfet场效应管 MSC040SMA120B4 起订3个装

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):MSC040SMA120B4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:323W

    阈值电压:2.6V@2mA

    栅极电荷:137nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1990pF@1000V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@40A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R4-30MLDX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R4-30MLDX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R4-30MLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:51W

    阈值电压:2.2V@1mA

    栅极电荷:13.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:832pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0040120D 起订30个装
    Wolfspeed Mosfet场效应管 C3M0040120D 起订30个装

    品牌:Wolfspeed

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):C3M0040120D

    工作温度:-40℃~175℃

    功率:326W

    阈值电压:3.6V@9.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:101nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2900pF@1000V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:53.5mΩ@33.3A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K3S 起订250个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K3S 起订250个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075023K3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@40A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R1-30YLDX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R1-30YLDX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:47W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:817pF@15V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K3S 起订5个装
    QORVO Mosfet场效应管 UJ4C075023K3S 起订5个装

    品牌:QORVO

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UJ4C075023K3S

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:6V@10mA

    栅极电荷:37.8nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@400V

    连续漏极电流:66A

    类型:N沟道

    导通电阻:29mΩ@40A,12V

    漏源电压:750V

    包装清单:商品主体 * 1

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