品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:860pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3493DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:30nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1825pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:28nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3460EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:14nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1060pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.1A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473DDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1975pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.8mΩ@8.7A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3464DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€3.6W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:18nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1065pF@10V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@7.5A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3477DV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:17.5mΩ@9A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3473CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W€4.2W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:65nC@8V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2010pF@6V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:22mΩ@8.1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存: