品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
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功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
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连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
输入电容:754pF@100V
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
连续漏极电流:8A
阈值电压:4V@250µA
漏源电压:600V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL16N60M2
工作温度:150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:704pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:355mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:89W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:754pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:520mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL16N60M2
工作温度:150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:704pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:355mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL16N60M2
工作温度:150℃
功率:52W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:704pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:355mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL16N60M2
包装方式:卷带(TR)
工作温度:150℃
类型:N沟道
栅极电荷:19nC@10V
连续漏极电流:8A
功率:52W
输入电容:704pF@100V
阈值电压:4V@250µA
导通电阻:355mΩ@4A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
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