品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQH8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQH8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQH8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQH8N100C
栅极电荷:70nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:225W
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQH8N100C
栅极电荷:70nC@10V
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:225W
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
输入电容:3220pF@25V
栅极电荷:70nC@10V
连续漏极电流:8A
工作温度:-55℃~150℃
阈值电压:5V@250µA
功率:225W
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQH8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
阈值电压:5V@250μA
导通电阻:1.45Ω@10V,4A
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
类型:1个N沟道
功率:225W
ECCN:EAR99
漏源电压:1kV
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
阈值电压:5V@250μA
导通电阻:1.45Ω@10V,4A
连续漏极电流:8A
包装方式:管件
类型:1个N沟道
功率:225W
ECCN:EAR99
漏源电压:1kV
包装清单:商品主体 * 1
库存: