采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：675pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418AEEV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：3.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：528pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：553pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7D25-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4284EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4284EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4284EY-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.9W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2200pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：13.5mΩ@7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7D25-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9D23-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：637pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：553pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7D25-40EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：460pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：25mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3418EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.7nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：678pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：32mΩ@5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
生产批次：08+
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD604
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.6W€1.7W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：404pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：N和P沟道
导通电阻：33mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2318AES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：555pF@10V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：31mΩ@7.9A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
