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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3410EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ3495EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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输入电容：3950pF@20V
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导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
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输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
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栅极电荷：21nC@10V
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输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
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栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SQ3410EV-T1_GE3
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功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1005pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：17.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SQ3495EV-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
漏源电压：30V
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栅极电荷：41nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3950pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@5A，4.5V
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输入电容：3950pF@20V
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