品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:21nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1005pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:17.5mΩ@5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@12A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2675pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:39W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:20nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:755pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:2.5W€5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:36mΩ@4.6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2367pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12.3mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ844AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1161pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:16.6mΩ@7.6A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.2W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:27mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:528pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:553pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:31mΩ@7.9A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STL8P4LLF6
工作温度:150℃
功率:2.9W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:22nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:20.5mΩ@4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF7328TRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2675pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1910pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:48mΩ@4.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MCC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MCQ7328-TP
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2675pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:21mΩ@8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:405pF@15V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:26mΩ@7.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: