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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ960EP-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:34W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:735pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3410EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3410EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1005pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.5mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G 起订748个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:675pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4282EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4282EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2367pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订6个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460EN-T1_GE3 起订6个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订681个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订681个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7328TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2675pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4282EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4282EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2367pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS460ENW-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS460ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@5.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订8个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订8个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4282EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4282EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4282EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2367pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:12.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ844AEP-T1_GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ844AEP-T1_GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ844AEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1161pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.6mΩ@7.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4909DY-T1-GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4909DY-T1-GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4909DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:27mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418AEEV-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:3.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:528pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@6A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ465EP-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ465EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1140pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:85mΩ@3.5A,10V,1.17mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3418EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.7nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:678pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:32mΩ@5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2318AES-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2318AES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:553pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:31mΩ@7.9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL8P4LLF6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL8P4LLF6

    工作温度:150℃

    功率:2.9W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2850pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:20.5mΩ@4A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7328TRPBF 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":179696,"MI+":4000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7328TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2675pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCQ7328-TP 起订1000个装
    MCC Mosfet场效应管 MCQ7328-TP 起订1000个装

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCQ7328-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2675pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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