采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
导通电阻：32mΩ@8A，10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：760pF@15V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：AOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
导通电阻：32mΩ@8A，10V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
栅极电荷：16nC@10V
输入电容：760pF@15V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM60NB600CF C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：41.7W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：528pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@1.7A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8NF25
工作温度：-55℃~175℃
功率：72W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：420mΩ@8A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4411
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：32mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
