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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX080N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX080N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX080N25
工作温度：150℃
功率：2.23W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX080N25
工作温度：150℃
功率：2.23W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX080N25
工作温度：150℃
功率：2.23W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX081N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：770mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZDX080N50
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：23nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1120pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX080N25
工作温度：150℃
功率：2.23W€35W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：散装
输入电容：840pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX081N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：770mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.03Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.03Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX081N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：770mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：散装
输入电容：680pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：800mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX081N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：770mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.03Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX081N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：770mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AO4854
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：2.4V@250µA
包装方式：散装
输入电容：888pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：19mΩ@8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8008ANX
工作温度：150℃
功率：50W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1080pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：1.03Ω@4A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX081N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：770mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX081N20
工作温度：150℃
功率：2.23W€40W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：8.5nC@10V
包装方式：散装
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：770mΩ@4A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A65D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1350pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：840mΩ@4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
