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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
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规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
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连续漏极电流：8A
功率：4W
漏源电压：40V
输入电容：741pF@20V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
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功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
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连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
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漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
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规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
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规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_BE3
工作温度：-55℃~+175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：20mΩ€20mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4940AEY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：4W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：741pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：24mΩ@5.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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