采购热线 400-661-9010
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60M6
功率：90W
连续漏极电流：8A
导通电阻：520mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD8N60DM2
工作温度：150℃
功率：85W
阈值电压：5V@100µA
栅极电荷：13.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：375pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60M6
功率：90W
连续漏极电流：8A
导通电阻：520mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60M6
功率：90W
连续漏极电流：8A
导通电阻：520mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R065S7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@12V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@8A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R065S7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：167W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：51nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R065S7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@12V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@8A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD11N60M6
功率：90W
连续漏极电流：8A
导通电阻：520mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHJ8N60E-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：89W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：754pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：520mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R065S7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@12V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@8A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10NM60ND
工作温度：-55℃~150℃
功率：70W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：577pF@50V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8P60W5，RVQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：4.5V@400µA
栅极电荷：22nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP60R065S7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：167W
阈值电压：4.5V@490µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@12V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：65mΩ@8A，12V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
