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    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N600CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:743pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CP ROG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM70N600CP ROG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM70N600CP ROG

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:83W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:743pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@4A,10V

    漏源电压:700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2
    ST Mosfet场效应管 STD12N65M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD12N65M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:16.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:500mΩ@4A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4939NR2G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4939NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:800mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:748
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD80R600P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:60W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840ASTRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840ASTRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:38nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1018pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    加购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STB8NM60T4
    ST Mosfet场效应管 STB8NM60T4

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB8NM60T4

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:100W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:1Ω@2.5A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:12
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2400
    加购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STD11N50M2
    ST Mosfet场效应管 STD11N50M2

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD11N50M2

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:85W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:395pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:530mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    加购:2500
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPN80R600P7ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":823}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPN80R600P7ATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:7.4W

    阈值电压:3.5V@170µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:570pF@500V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:542
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3424CDV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3424CDV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@7.2A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRLPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3460BDV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3460BDV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:860pF@10V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@5.1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840STRRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840STRRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN4020LFDE-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN4020LFDE-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:660mW

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1060pF@20V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:20mΩ@8A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4436DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4436DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@4.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ8N60E-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ8N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:754pF@100V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
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