采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：1.1nF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF11N50M2
工作温度：-55℃~150℃
功率：25W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：管件
输入电容：395pF@100V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：530mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：2000psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPT60R065S7XTMA1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：167W
阈值电压：3.5V
栅极电荷：51nC
包装方式：Reel
连续漏极电流：8A
类型：MOSFET
导通电阻：65mΩ
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G8N03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@15V
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSO150N03MDG
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.4W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：17nC@10V
输入电容：1.3nF@15V
连续漏极电流：8A
导通电阻：15mΩ@9.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G8N03
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@5V
输入电容：900pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
反向传输电容：50pF@15V
导通电阻：9mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G1208
工作温度：-55℃~+150℃
阈值电压：1V@250μA
栅极电荷：14nC@4.5V
输入电容：1.275nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
反向传输电容：236pF@6V
导通电阻：28mΩ@10V，5A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G4616
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V€12nC@10V
输入电容：520pF@20V€415pF@20V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G06N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：46nC@10V
输入电容：1.6nF@30V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：15mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：5W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：1.35nF@15V
连续漏极电流：8A
类型：2个P沟道
导通电阻：29mΩ@10V，7.3A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：113W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13.6nC@10V
输入电容：474pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.62Ω@2.5A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF840ASTRLPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1018pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4.8A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDME905PT
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.1W
阈值电压：1V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.315nF@6V
连续漏极电流：8A
类型：1个P沟道
导通电阻：22mΩ@4.5V，8A
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
