采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A50D(STA4，Q，M)
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：16nC@10V
包装方式：管件
输入电容：800pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM600N25ECH C5G
工作温度：150℃
功率：52W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：8.4nC@10V
包装方式：管件
输入电容：423pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@4A，10V
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8Q60W，S1VQ
工作温度：150℃
功率：80W
阈值电压：3.7V@400µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@400µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@400µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK8A60W，S4VX
工作温度：150℃
功率：30W
阈值电压：3.7V@400µA
栅极电荷：18.5nC@10V
包装方式：管件
输入电容：570pF@300V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：500mΩ@4A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
