品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":182068,"16+":10540,"18+":4500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMS4939NR2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:800mW
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2000pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:8.4mΩ@7.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQB8P10TM
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€65W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:P沟道
导通电阻:530mΩ@4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ86530L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2295pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF9N90CT
工作温度:-55℃~150℃
功率:68W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FCP850N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:136W
阈值电压:4.5V@600µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:29nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1315pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:850mΩ@3A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":498}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:59W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8570}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:59W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":995}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDPF10N50UT
工作温度:-55℃~150℃
功率:42W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:24nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1130pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.05Ω@4A,10V
漏源电压:500V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FCPF650N80Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:30.5W
阈值电压:4.5V@800µA
栅极电荷:35nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1565pF@100V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:650mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDME905PT
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.1W
阈值电压:1V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2.315nF@6V
连续漏极电流:8A
类型:1个P沟道
导通电阻:22mΩ@4.5V,8A
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8570}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQPF8N80CYDTU
工作温度:-55℃~150℃
功率:59W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":337}
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N90C-F109
工作温度:-55℃~150℃
功率:240W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2080pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.9Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP8N80C
工作温度:-55℃~150℃
功率:178W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2050pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.55Ω@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ86530L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2295pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQA8N100C
工作温度:-55℃~150℃
功率:225W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:70nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3220pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.45Ω@4A,10V
漏源电压:1000V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ86530L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2295pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FQP9N90C
工作温度:-55℃~150℃
功率:205W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2730pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:1.4Ω@4A,10V
漏源电压:900V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMQ86530L
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.9W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2295pF@30V
连续漏极电流:8A
类型:4N沟道(全桥)
导通电阻:17.5mΩ@8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD600N80S3Z
工作温度:-55℃~150℃
功率:60W
阈值电压:3.8V@180µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@400V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@4A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存: