品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):LSI1012LT1G
功率:225mW
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):LSI1012LT1G
功率:225mW
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):LSI1012LT1G
功率:225mW
阈值电压:900mV@250μA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:LRC
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):LSI1012LT1G
阈值电压:900mV@250μA
导通电阻:700mΩ@4.5V,600mA
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
漏源电压:20V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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工作温度:-55℃~+150℃
功率:225mW
阈值电压:3V@1mA
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+150℃
输入电容:60pF@10V
连续漏极电流:500mA
类型:1个N沟道
导通电阻:5Ω@10V,200mA
阈值电压:3V@1mA
漏源电压:60V
功率:225mW
包装清单:商品主体 * 1
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