采购热线 400-661-9010
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KL3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KL3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KL3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KL3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Microchip
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N6660
工作温度：-55℃~150℃
功率：6.25W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：袋
输入电容：50pF@24V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：3Ω@1A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KL3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2N7002KL3-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：100mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.5Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN62D1SFB-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：470mW
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：2.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：80pF@40V
连续漏极电流：410mA
类型：N沟道
导通电阻：1.4Ω@40mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
