采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5000，"17+"：5000，"18+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
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功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
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连续漏极电流：410mA
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功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：62pF@10V
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导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
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功率：300mW
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连续漏极电流：410mA
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导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
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行业应用：工业,汽车
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功率：300mW
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连续漏极电流：410mA
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导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
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规格型号(MPN)：FDG6304P
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功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
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功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
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连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：FDG6304P
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功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
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连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
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连续漏极电流：410mA
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导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
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功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
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输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
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功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：285mW
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ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：5000，"17+"：5000，"18+"：5000}
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规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
ECCN：EAR99
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输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDG6304P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300mW
阈值电压：1.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：62pF@10V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.1Ω@410mA，4.5V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
功率：285mW
ECCN：EAR99
输入电容：43.2pF@15V
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
包装方式：卷带（TR）
类型：2个P沟道（双）
漏源电压：30V
功率：285mW
工作温度：-55℃~150℃
连续漏极电流：410mA
输入电容：43.2pF@15V
阈值电压：950mV@250µA
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDXB1200UPEZ
工作温度：-55℃~150℃
功率：285mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：43.2pF@15V
连续漏极电流：410mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：1.4Ω@410mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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