采购热线 400-661-9010
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MP18N20
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS18N100HGC0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：470W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：66.64nC
输入电容：2.85nF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF
导通电阻：550mΩ@10V，9A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1300pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@10V，10A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@10V，10A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT18N20
工作温度：-55℃~+150℃
功率：100W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：杰盛微
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NPBF
功率：150W
阈值电压：4V@250μA
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：150mΩ@10V，11A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS18N100HGC0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：470W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：66.64nC
输入电容：2.85nF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF
导通电阻：550mΩ@10V，9A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MASPOWER
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MS18N100HGC0
工作温度：-55℃~+175℃
功率：470W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：66.64nC
输入电容：2.85nF
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF
导通电阻：550mΩ@10V，9A
漏源电压：1kV
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：7.1W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：33nC@10V
输入电容：1.59nF@75V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@10A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+150℃
功率：30W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：29nC@10V
输入电容：1.06nF@100V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：190mΩ@10V，9A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640SPBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W€130W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@11A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
输入电容：940pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：125mΩ@10V，10A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640NS
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF9Z30PBF
工作温度：-55℃~+150℃
功率：74W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：管件
输入电容：900pF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个P沟道
导通电阻：140mΩ@10V，9.3A
漏源电压：50V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFP240
工作温度：-55℃~+150℃
功率：130W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
工作温度：-55℃~+150℃
功率：31W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：23nC@10V
输入电容：1.32nF@25V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
反向传输电容：130pF@25V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF640
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
栅极电荷：23nC@10V
导通电阻：130mΩ@10V，7.5A
阈值电压：4V@250μA
功率：31W
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.32nF@25V
反向传输电容：130pF@25V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
