采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：29627，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：29627，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：29627，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4116DY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：1.4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1925pF@15V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：8.6mΩ@10A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：29627，"MI+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS86540
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：90nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6410pF@30V
连续漏极电流：18A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
