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    连续漏极电流: 56A
    行业应用: 工业
    类型: N沟道
    包装方式: 管件
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    当前匹配商品:10+
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    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4675pF@400V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Microchip Mosfet场效应管 APT56M50L
    Microchip Mosfet场效应管 APT56M50L

    品牌:Microchip

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):APT56M50L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:780W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:220nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:8800pF@25V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@28A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4675pF@400V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH060N80-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:4.5V@5.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14685pF@100V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@29A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH060N80-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:4.5V@5.8mA

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14685pF@100V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@29A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH060N80-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:4.5V@5.8mA

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14685pF@100V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@29A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4675pF@400V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH060N80-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:4.5V@5.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14685pF@100V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@29A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4675pF@400V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4675pF@400V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4675pF@400V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:245W

    阈值电压:4.5V@250µA

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:4675pF@400V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH060N80-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:4.5V@5.8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14685pF@100V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@29A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:450
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):450psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCH060N80-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500W

    阈值电压:4.5V@5.8mA

    栅极电荷:350nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:14685pF@100V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@29A,10V

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155
    onsemi Mosfet场效应管 FCH060N80-F155

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):450psc

    规格型号(MPN):FCH060N80-F155

    工作温度:-55℃~150℃

    输入电容:14685pF@100V

    栅极电荷:350nC@10V

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    导通电阻:60mΩ@29A,10V

    阈值电压:4.5V@5.8mA

    包装方式:管件

    功率:500W

    漏源电压:800V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:4675pF@400V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    功率:245W

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9
    ST Mosfet场效应管 STP60N043DM9

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):STP60N043DM9

    阈值电压:4.5V@250µA

    输入电容:4675pF@400V

    工作温度:-55℃~150℃

    连续漏极电流:56A

    类型:N沟道

    功率:245W

    栅极电荷:78.6nC@10V

    包装方式:管件

    漏源电压:600V

    导通电阻:43mΩ@28A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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