采购热线 400-661-9010
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP161N04TUG-E1-AY
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：345nC@10V
输入电容：20.25pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP161N04TUG-E1-AY
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：345nC@10V
输入电容：20.25pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP161N04TUG-E1-AY
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：345nC@10V
输入电容：20.25pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP161N04TUG-E1-AY
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：345nC@10V
输入电容：20.25pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP161N04TUG-E1-AY
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：345nC@10V
输入电容：20.25pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：160A
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
输入电容：5.5nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：160A
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
输入电容：5.5nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
漏源电压：40V
连续漏极电流：160A
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
输入电容：5.5nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP161N04TUG-E1-AY
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：345nC@10V
输入电容：20.25pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
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连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：9000，"MI+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN2R8-40YSDX
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK1R4F04PB，LXGQ
功率：205W
阈值电压：3V@500μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：103nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5.5nF@10V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.9mΩ@80A，6V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：147W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
输入电容：4.507nF@20V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：2.8mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NP161N04TUG-E1-AY
功率：1.8W€250W
阈值电压：4V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：345nC@10V
输入电容：20.25pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.8mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
