品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
输入电容:20.25pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
输入电容:4.507nF@20V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
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连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:62nC@10V
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连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
ECCN:EAR99
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类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
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ECCN:EAR99
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
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规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
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库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
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导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
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栅极电荷:103nC@10V
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导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
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栅极电荷:103nC@10V
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导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
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库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
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栅极电荷:103nC@10V
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导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
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栅极电荷:62nC@10V
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导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
包装方式:卷带(TR)
类型:1个N沟道
漏源电压:40V
连续漏极电流:160A
功率:205W
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
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导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
栅极电荷:345nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":9000,"MI+":3000}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
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ECCN:EAR99
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类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
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库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN2R8-40YSDX
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
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类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TK1R4F04PB,LXGQ
功率:205W
阈值电压:3V@500μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:103nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5.5nF@10V
连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.9mΩ@80A,6V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:147W
阈值电压:3.6V@1mA
栅极电荷:62nC@10V
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类型:1个N沟道
导通电阻:2.8mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:RENESAS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":3200}
销售单位:个
规格型号(MPN):NP161N04TUG-E1-AY
功率:1.8W€250W
阈值电压:4V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:345nC@10V
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连续漏极电流:160A
类型:1个N沟道
导通电阻:1.8mΩ@80A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: