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    连续漏极电流: 2.8A(Tc)
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.8 nC @ 10 V

    输入电容:365 pF @ 75 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.8 nC @ 10 V

    输入电容:365 pF @ 75 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.8 nC @ 10 V

    输入电容:365 pF @ 75 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:9.8 nC @ 10 V

    输入电容:365 pF @ 75 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 500mA,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    类型:P 通道

    输入电容:365 pF @ 75 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 500mA,10V

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    栅极电荷:9.8 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7317DN-T1-GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    类型:P 通道

    输入电容:365 pF @ 75 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    导通电阻:1.2 欧姆 @ 500mA,10V

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    功率:3.2W(Ta),19.8W(Tc)

    栅极电荷:9.8 nC @ 10 V

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数1000个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数1000个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数135个
    onsemi Mosfet场效应管 FQD5N60CTM-WS 起订数135个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~150°C(TJ)

    功率:2.5W(Ta),49W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:19 nC @ 10 V

    输入电容:670 pF @ 25 V

    连续漏极电流:2.8A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 欧姆 @ 1.4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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