品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65XPEAR
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW€6.25W
阈值电压:1.25V@250µA
栅极电荷:9nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:618pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:78mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2065UW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:430mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:56mΩ@2A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI8806DB-T2-E1
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@8V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:43mΩ@1A,4.5V
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHD2N80E-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:62.5W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:19.6nC@10V
包装方式:管件
输入电容:315pF@100V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:2.75Ω@1A,10V
漏源电压:800V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UKQ-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:1352
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISP12DP06NMXTSA1
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.8W€4.2W
阈值电压:4V@520µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:20.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:790pF@30V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:125mΩ@2.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMN2075UDW-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:500mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:594.3pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:48mΩ@3A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFL024NTRPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:1W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:18.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:400pF@25V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@2.8A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMP3068LVT-7
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1.3V@250µA
栅极电荷:7.3nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:708pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:75mΩ@4.2A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":192000}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTLGF3501NT2G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.14W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:275pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.4A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG2302UK-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:660mW
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:2.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:130pF@10V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65XP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV65XP,215
工作温度:-55℃~150℃
功率:480mW
阈值电压:900mV@250µA
栅极电荷:7.7nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:744pF@20V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:74mΩ@2.8A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6QTA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOSS21319C
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@15V
连续漏极电流:2.8A
类型:P沟道
导通电阻:100mΩ@2.8A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MVSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.1W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:5.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:459pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:80mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MGSF2N02ELT1G
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.25W
阈值电压:1V@250µA
栅极电荷:3.5nC@4V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:150pF@5V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:85mΩ@3.6A,4.5V
漏源电压:20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"19+":1692}
销售单位:个
规格型号(MPN):PMPB215ENEA/FX
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.6W
阈值电压:2.7V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.2nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:215pF@40V
连续漏极电流:2.8A
类型:N沟道
导通电阻:230mΩ@1.9A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: