品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:东芝(TOSHIBA)
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):XPQR3004PB,LXHQ
工作温度:175℃
功率:750W
阈值电压:3V@1mA
栅极电荷:295nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:26910pF@10V
连续漏极电流:400A
类型:N沟道
导通电阻:0.3mΩ@200A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4566T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
输入电容:7.275nF@20V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:159F@20V
导通电阻:0.6mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4566T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
输入电容:7.275nF@20V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:159F@20V
导通电阻:0.6mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4566T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
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连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:159F@20V
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漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
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行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):MOT4566T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
输入电容:7.275nF@20V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:159F@20V
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漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:MOT
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):MOT4566T
工作温度:-55℃~+175℃
功率:600W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:124nC@10V
输入电容:7.275nF@20V
连续漏极电流:400A
类型:1个N沟道
反向传输电容:159F@20V
导通电阻:0.6mΩ@10V,50A
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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