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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305-TP
工作温度：-55℃~150℃
功率：350mW
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，1.8V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：SI2305-TP
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功率：350mW
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
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连续漏极电流：4.1A
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功率：1.56W
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输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
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连续漏极电流：4.1A
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连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
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连续漏极电流：4.1A
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连续漏极电流：4.1A
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连续漏极电流：4.1A
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
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输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
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栅极电荷：6.4nC@4.5V
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输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
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连续漏极电流：4.1A
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功率：350mW
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连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，1.8V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
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栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
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品牌：MCC
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行业应用：工业,汽车
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功率：350mW
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栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，1.8V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305-TP
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功率：350mW
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栅极电荷：15nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：90mΩ@2A，1.8V
漏源电压：8V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM650P03CX RFG
工作温度：150℃
功率：1.56W
阈值电压：900mV@250µA
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栅极电荷：6.4nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：810pF@15V
连续漏极电流：4.1A
类型：P沟道
导通电阻：65mΩ@4A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2305-TP
功率：350mW
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类型：P沟道
栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SI2305-TP
功率：350mW
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栅极电荷：15nC@4.5V
漏源电压：8V
ECCN：EAR99
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品牌：MCC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI2305-TP
功率：350mW
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栅极电荷：15nC@4.5V
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