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    连续漏极电流: 320mA
    行业应用: 汽车
    包装方式: 卷带(TR)
    工作温度: -55℃~150℃
    类型: N沟道
    当前匹配商品:200+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    加购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:80
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10000
    加购:10000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D1LFB-7B

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D1LFB-7B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.9nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:64pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@100mA,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230mW

    阈值电压:1V@250A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    加购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:08+

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:62
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002KT1G
    onsemi Mosfet场效应管 2V7002KT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2V7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:44
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:87
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 2N7002K

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230mW

    阈值电压:1V@250A

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:50
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVNL120GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVNL120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:1.5V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,5V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1250
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:22
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订1000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA
    DIODES Mosfet场效应管 ZVN2120GTA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZVN2120GTA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:85pF@25V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:10Ω@250mA,10V

    漏源电压:200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订15个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:15
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订30000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订30000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:30000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN62D0UT-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN62D0UT-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:230mW

    阈值电压:1V@250A

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:32pF@30V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT7G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT7G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 2N7002KT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002KT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:24.5pF@20V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    加购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订71个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138BKW,115 起订71个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:1625

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138BKW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.6V@250µA

    栅极电荷:0.7nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:56pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@320mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:71
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BSS138PW,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS138PW,115

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:260mW€830mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.8nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:320mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@300mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    加购:5
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