采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
阈值电压：1.5V@1mA
栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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功率：2W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：1460pF@15V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
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漏源电压：30V
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类型：N沟道
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1818GR-9JG-E1-A
阈值电压：1.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.2mΩ@5A，4.5V
漏源电压：20V
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品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
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功率：2W
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类型：N沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
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功率：2W
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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行业应用：工业,汽车
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包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
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类型：N沟道
栅极电荷：13nC@4.5V
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功率：2W
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类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RF4E100AJTCR
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W
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类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@10A，4.5V
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品牌：RENESAS
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行业应用：工业,汽车
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生产批次：{"11+"：3000}
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ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@4V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个P沟道
导通电阻：15.2mΩ@5A，4.5V
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栅极电荷：13nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
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