品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMG4466SSS-13
工作温度:-55℃~150℃
功率:1.42W
阈值电压:2.4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:478.9pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:23mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD13N65M2
工作温度:150℃
功率:110W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STFU13N65M2
工作温度:150℃
功率:25W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:管件
输入电容:590pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:430mΩ@5A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD12N60DM6
工作温度:-55℃~+150℃
功率:90W
阈值电压:4.75V@250μA
栅极电荷:17nC@10V
输入电容:508pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:390mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: