采购热线 400-661-9010
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10P10F6
工作温度：175℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@80V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
连续漏极电流：10A
工作温度：150℃
功率：40W
类型：N沟道
输入电容：1130pF@300V
包装方式：管件
阈值电压：4V@1mA
漏源电压：600V
栅极电荷：30nC@10V
导通电阻：750mΩ@5A，10V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10P10F6
工作温度：175℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@80V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCX100N25
工作温度：150℃
功率：40W
包装方式：散装
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：500psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8010ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：62nC@10V
包装方式：散装
输入电容：1750pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：560mΩ@5A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10P10F6
工作温度：175℃
功率：40W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：864pF@80V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK750A60F，S4X
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1130pF@300V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：750mΩ@5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD10P10F6
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：10A
功率：40W
导通电阻：180mΩ@5A，10V
输入电容：864pF@80V
工作温度：175℃
类型：P沟道
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：16.5nC@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
