品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@25V
导通电阻:180mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@25V
导通电阻:180mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@25V
导通电阻:180mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FQD13N10LTM
工作温度:-55℃~+150℃
功率:2.5W€40W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:12nC@5V
输入电容:520pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:180mΩ@10V,5A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
导通电阻:185mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@25V
导通电阻:180mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
栅极电荷:20nC@5V
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:1个N沟道
反向传输电容:50pF@25V
导通电阻:180mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
栅极电荷:20nC@5V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
反向传输电容:50pF@25V
导通电阻:180mΩ@10V,6A
阈值电压:2V@250μA
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
销售单位:个
输入电容:440pF@25V
连续漏极电流:10A
栅极电荷:20nC@5V
类型:1个N沟道
工作温度:-55℃~+175℃
功率:48W
阈值电压:2V@250μA
导通电阻:185mΩ@10V,6A
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存: