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品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
功率：2W
ECCN：EAR99
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：2.2nF@10V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道+1个P沟道
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：STF10N65K3
功率：35W
连续漏极电流：10A
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
栅极电荷：42nC@10V
漏源电压：650V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
阈值电压：4.5V@100µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：107226}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2792AGR-E1-AT
漏源电压：30V
连续漏极电流：10A
输入电容：2.2nF@10V
类型：1个N沟道+1个P沟道
ECCN：EAR99
功率：2W
栅极电荷：42nC@10V
导通电阻：12.5mΩ@5A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT10N70F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.4nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：10.4pF@25V
导通电阻：1Ω@10V，5A
漏源电压：700V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3569(STA4，X，M)
工作温度：-55℃~+150℃
功率：45W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：42nC@10V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
反向传输电容：180pF@25V
导通电阻：540mΩ@10V，5A
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF10N65K3
工作温度：-55℃~150℃
功率：35W
阈值电压：4.5V@100µA
栅极电荷：42nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1180pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.6A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
