品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP10N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM60ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AON3419
工作温度:-55℃~150℃
功率:3.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@15V
连续漏极电流:10A
类型:P沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP10N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHP10N40D-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM60ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STF11NM60ND
工作温度:-55℃~150℃
功率:25W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:850pF@50V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:450mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3
工作温度:-55℃~150℃
功率:33W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":835}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":8671,"MI+":1000}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":723,"16+":18000,"17+":2000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):229psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF740BPBF
工作温度:-55℃~150℃
功率:147W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:526pF@100V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:600mΩ@5A,10V
漏源电压:400V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:FAIRCHILD
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"15+":723,"16+":18000,"17+":2000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):229psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP10N60NZ
工作温度:-55℃~150℃
功率:185W
阈值电压:5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1475pF@25V
连续漏极电流:10A
类型:N沟道
导通电阻:750mΩ@5A,10V
漏源电压:600V
包装清单:商品主体 * 1
库存: