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    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订2500个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA905P 起订635个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2900}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA905P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29nC@6V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3405pF@6V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:16mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3E 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3E

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    导通电阻:13.5mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8910TRPBF 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8910TRPBF 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8910TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.55V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSDQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:21mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订3个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO110N03MSGXUMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO110N03MSGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STD10NM60N 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD10NM60N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@50V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@4A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQD13N10LTM 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQD13N10LTM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€40W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:12nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:520pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:180mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订3个装
    ROHM Mosfet场效应管 RD3P100SNTL1 起订3个装

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RD3P100SNTL1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:20W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:133mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4935NR2G 起订401个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMS4935NR2G 起订401个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"09+":55000,"10+":140860}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMS4935NR2G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:810mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:52.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3639pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.1mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订241个装
    onsemi Mosfet场效应管 FQB10N50CFTM-WS 起订241个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2400}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB10N50CFTM-WS

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:143W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2210pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:610mΩ@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740STRLPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740STRLPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:63nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSD-13 起订9个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4822SSD-13 起订9个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4822SSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:478.9pF@16V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:20mΩ@8.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4496SSS-13 起订18个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMG4496SSS-13 起订18个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG4496SSS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.42W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:10.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:493.5pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:21.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ1323NZ 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDZ1323NZ 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDZ1323NZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.2V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2055pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:13mΩ@1A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3016LFDE-13 起订8个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3016LFDE-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:730mW

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:25.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1415pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@11A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6 起订3个装
    ST Mosfet场效应管 STS10P3LLH6 起订3个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STS10P3LLH6

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:33nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3350pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12mΩ@5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8910TRPBF 起订4000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF8910TRPBF 起订4000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF8910TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.55V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:960pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:13.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87503Q3ET 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87503Q3ET

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:15.6W

    阈值电压:2.1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共源

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7470TRPBF 起订529个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7470TRPBF 起订529个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":490,"22+":27416,"24+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7470TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:44nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3430pF@20V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装
    TI Mosfet场效应管 CSD22202W15 起订6个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD22202W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:8.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1390pF@4V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:12.2mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:8V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON5820 起订12个装
    AOS Mosfet场效应管 AON5820 起订12个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON5820

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.7W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1510pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:2N沟道(双)共漏

    导通电阻:9.5mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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